首页 > 商品目录 > > > > DMT6004LPS-13代替型号比较

DMT6004LPS-13  与  BSC031N06NS3 G  区别

型号 DMT6004LPS-13 BSC031N06NS3 G
唯样编号 A-DMT6004LPS-13 A-BSC031N06NS3 G
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 22A
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.1mΩ
上升时间 - 161ns
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) - 2.5W
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 63ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 PowerDI -
连续漏极电流Id 22A 100A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - SingleQuadDrainTripleSource
系列 - OptiMOS3
长度 - 5.9mm
下降时间 - 16ns
典型接通延迟时间 - 38ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT6004LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

PowerDI

暂无价格 0 当前型号
BSC031N06NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC031N06NS3 G_8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
BSC031N06NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC031N06NS3GATMA1_5.9mm

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售